电容全膜半膜是指电容器的介质层使用的材料，全膜电容器是指介质层全部采用某种材料制成，常用的有聚酰亚胺、聚丙烯、聚苯乙烯等。
半膜电容器则是采用两种不同材料制造介质层，其中一层为铝箔或锌箔，另一层为涂有某种高分子材料的非导电膜，以保证电容器性能的稳定。
相对于全膜电容器，半膜电容器具有更高的容量、较低的体积和重量，且性能稳定。
电容充电公式是Q=CV，其推导可从电场强度入手，根据高斯定理得到电场强度与电势的关系式。结合电容器特性，对电势进行积分，就得到了电容充电过程中电量与电势之间的关系，即电容充电公式。此公式可用于计算电容器中的电荷、电势差和电容量等物理量，是电学基础中重要的公式之一。
电容内阻2毫安左右并不好，因为内阻越小，电容的充放电效率越高，能够更有效地存储能量。一个内阻较大的电容会导致充放电时间延长、电能损耗增加、性能下降。尤其对于高频应用，内阻更应该足够小，否则会影响信号传输质量。因此，通常情况下，电容内阻越小越好，一般在数十微安左右。当然，不同的应用场合还需要根据具体需求选择合适的电容或电容组合，以达到最佳的效果。